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HGTP1N120CN

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小351KB,共10页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HGTP1N120CN概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

HGTP1N120CN规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6.2 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)75 ns
标称接通时间 (ton)13 ns
Base Number Matches1

HGTP1N120CN相似产品对比

HGTP1N120CN HGTD1N120CNS HGTD1N120CNS9A
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 6.2 A 6.2 A 6.2 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V 1200 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 75 ns 75 ns 75 ns
标称接通时间 (ton) 13 ns 13 ns 13 ns
厂商名称 - Harris Harris

 
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