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HGTP5N120CND

产品描述25A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HGTP5N120CND概述

25A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN

HGTP5N120CND规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)400 ns
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)167 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)16 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)575 ns
标称接通时间 (ton)32 ns
Base Number Matches1

HGTP5N120CND相似产品对比

HGTP5N120CND HGT1S5N120CNDS HGTG5N120CND
描述 25A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN 5A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB 5A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC) 25 A 5 A 25 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V 1200 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES NO
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 MOTOR CONTROL POWER CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
包装说明 TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN - FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
外壳连接 COLLECTOR - COLLECTOR
最大降落时间(tf) 400 ns - 400 ns
门极-发射极最大电压 20 V - 20 V
JESD-609代码 e0 - e0
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 167 W - 167 W
最大上升时间(tr) 16 ns - 16 ns
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
标称断开时间 (toff) 575 ns - 575 ns
标称接通时间 (ton) 32 ns - 32 ns
JEDEC-95代码 - TO-263AB TO-247
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