25A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 25 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最大降落时间(tf) | 400 ns |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 167 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大上升时间(tr) | 16 ns |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 575 ns |
标称接通时间 (ton) | 32 ns |
Base Number Matches | 1 |
HGTP5N120CND | HGT1S5N120CNDS | HGTG5N120CND | |
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描述 | 25A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN | 5A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB | 5A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS | LOW CONDUCTION LOSS | LOW CONDUCTION LOSS |
最大集电极电流 (IC) | 25 A | 5 A | 25 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | YES | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL | POWER CONTROL | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
包装说明 | TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN | - | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
外壳连接 | COLLECTOR | - | COLLECTOR |
最大降落时间(tf) | 400 ns | - | 400 ns |
门极-发射极最大电压 | 20 V | - | 20 V |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
最大功率耗散 (Abs) | 167 W | - | 167 W |
最大上升时间(tr) | 16 ns | - | 16 ns |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
标称断开时间 (toff) | 575 ns | - | 575 ns |
标称接通时间 (ton) | 32 ns | - | 32 ns |
JEDEC-95代码 | - | TO-263AB | TO-247 |
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