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HGTP5N120CN

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小122KB,共7页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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HGTP5N120CN概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN

HGTP5N120CN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)400 ns
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)167 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)16 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)575 ns
标称接通时间 (ton)32 ns
Base Number Matches1

HGTP5N120CN相似产品对比

HGTP5N120CN HGT1S5N120CNS9A
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB ALTERNATE VERSION, 3 PIN Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown compliant
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 25 A 25 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SINGLE SINGLE
最大降落时间(tf) 400 ns 400 ns
门极-发射极最大电压 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 167 W 167 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大上升时间(tr) 16 ns 16 ns
表面贴装 NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 575 ns 575 ns
标称接通时间 (ton) 32 ns 32 ns
Base Number Matches 1 1

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