Bus Driver, HCT Series, 2-Func, 4-Bit, Inverted Output, CMOS, CDIP20, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-20
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | DIP, DIP20,.3 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY |
控制类型 | ENABLE LOW |
系列 | HCT |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T20 |
JESD-609代码 | e0 |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
最大I(ol) | 0.006 A |
位数 | 4 |
功能数量 | 2 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 20 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出特性 | 3-STATE |
输出极性 | INVERTED |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP20,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 20 ns |
传播延迟(tpd) | 20 ns |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 200k Rad(Si) V |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
HCTS240DMSR | HCTS240KMSR | HCTS240KMSH | HCTS240DMSH | |
---|---|---|---|---|
描述 | Bus Driver, HCT Series, 2-Func, 4-Bit, Inverted Output, CMOS, CDIP20, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-20 | Bus Driver, HCT Series, 2-Func, 4-Bit, Inverted Output, CMOS, CDFP20, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-20 | Bus Driver, HCT Series, 2-Func, 4-Bit, Inverted Output, CMOS, CDFP20, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-20 | Bus Driver, HCT Series, 2-Func, 4-Bit, Inverted Output, CMOS, CDIP20, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-20 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | DIP, DIP20,.3 | DFP, FL20,.3 | DFP, FL20,.3 | DIP, DIP20,.3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
其他特性 | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY |
控制类型 | ENABLE LOW | ENABLE LOW | ENABLE LOW | ENABLE LOW |
系列 | HCT | HCT | HCT | HCT |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T20 | R-CDFP-F20 | R-CDFP-F20 | R-CDIP-T20 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
最大I(ol) | 0.006 A | 0.006 A | 0.005 A | 0.005 A |
位数 | 4 | 4 | 4 | 4 |
功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
端口数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 20 | 20 | 20 | 20 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
输出极性 | INVERTED | INVERTED | INVERTED | INVERTED |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP | DFP | DFP | DIP |
封装等效代码 | DIP20,.3 | FL20,.3 | FL20,.3 | DIP20,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | FLATPACK | FLATPACK | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 20 ns | 20 ns | 25 ns | 25 ns |
传播延迟(tpd) | 20 ns | 20 ns | 25 ns | 25 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S |
座面最大高度 | 5.08 mm | 2.92 mm | 2.92 mm | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT | FLAT | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 200k Rad(Si) V | 200k Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V |
宽度 | 7.62 mm | 6.92 mm | 6.92 mm | 7.62 mm |
厂商名称 | - | Harris | Harris | Harris |
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