2007-12-07
GaAlAs Infrared Emitter
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
Version 1.0
SFH 483 E7800
Features:
• Fabricated in a liquid phase epitaxy process
• Anode is electrically connected to the case
• High reliability
• Matches all Si-Photodetectors
• Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH
464
• DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040
GQG
• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
• Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242, SFH
464
• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC
Besondere Merkmale:
Applications
• Photointerrupters
• Sensor technology
• Light curtains
• Lichtschranken
• Sensorik
• Lichtgitter
Anwendungen
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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Version 1.0
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 483 L/M E7800
Note:
Anm::
SFH 483 E7800
Ordering Code
Bestellnummer
2 (≥ 1)
Q62703Q4755
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Maximum Ratings
(T
C
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
≤
10
μs,
D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
Thermal resistance junction - case
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
I
F
I
FSM
Values
Werte
-40 ... 80
5
200
2.5
Unit
Einheit
°C
V
mA
A
P
tot
R
thJA
R
thJC
470
450
160
mW
K/W
K/W
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Version 1.0
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Active chip area
Aktive Chipfläche
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Distance chip surface to lens top
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Rise and fall times of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeiten von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50
Ω)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100
μs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Symbol
Symbol
λ
peak
SFH 483 E7800
Values
Werte
880
Unit
Einheit
nm
Δλ
80
nm
ϕ
A
LxW
H
t
r
/ t
f
± 23
0.16
0.4 x 0.4
2.7 ... 2.9
600 / 500
°
mm
2
mm x
mm
mm
ns
C
0
25
pF
V
F
1.5 (≤ 1.8)
V
V
F
2.4 (≤ 3)
V
I
R
0.01 (≤ 1)
µA
Φ
e
23
mW
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Version 1.0
Parameter
Bezeichnung
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, min
[mW / sr]
SFH 483-L E7800
SFH 483-M E7800
Note:
SFH 483 E7800
Symbol
Symbol
TC
I
Values
Werte
-0.5
Unit
Einheit
%/K
TC
V
-2.5
mV / K
TC
λ
0.25
nm / K
Max Radiant Intensity
Max Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e, max
[mW / sr]
2
3.2
1
1.6
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely
the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement
of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful
values. This aperture measurement is denoted by "E 7800" added to the type designation.
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 1,1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird
sichergestellt, dass bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende
Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der
Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z. B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung
werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses der
Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare Größe.
Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag "E 7800", der an die Typenbezeichnung
angehängt ist.
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Version 1.0
Relative Spectral Emission
Relative spektrale Emission
I
rel
= f(λ), T
A
= 25°C
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
SFH 483 E7800
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
e
/ I
e
(100 mA) = f(I
F
), single pulse, t
p
= 25 µs,
T
A
= 25°C
10
2
Ι
e
Ι
e (100mA)
10
1
OHR00878
60
10
0
40
10
-1
20
10
-2
0
750
800
850
900
950 nm 1000
λ
10
-3
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
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京公网安备 11010802033920号
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