ST173C12CEP3P,ST173C12CEP3P pdf中文资料,ST173C12CEP3P引脚图,ST173C12CEP3P电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> ST173C12CEP3P

ST173C12CEP3P: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, LEAD FREE, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小157KB，共10页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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ST173C12CEP3P概述

Silicon Controlled Rectifier, 610A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, LEAD FREE, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3

ST173C12CEP3P规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BUTTON
包装说明	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数	3
制造商包装代码	A-PUK
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH SPEED
标称电路换相断开时间	18 µs
配置	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us
最大直流栅极触发电流	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	600 mA
JEDEC-95代码	TO-200AB
JESD-30 代码	O-CEDB-N2
最大漏电流	40 mA
通态非重复峰值电流	4900 A
元件数量	1
端子数量	2
最大通态电流	330000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	610 A
断态重复峰值电压	1200 V
重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	YES
端子面层	Nickel (Ni)
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

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