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RN1544A(TE85L)

产品描述PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,300MA I(C),SOT-25
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小263KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1544A(TE85L)概述

PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,300MA I(C),SOT-25

RN1544A(TE85L)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.3 A
最小直流电流增益 (hFE)200
元件数量2
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN1544
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1544
For use in Muting and Switching Applications
Emitter-base voltage is high: V
EBO
= 25 V (max)
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more
compact equipment and save assembly cost.
Unit: mm
Equivalent Circuit
C
h
FE
classification
Marking
A
44A
B
44B
B
R1
E
(Q1, Q2 common)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note1)
T
j
T
stg
Rating
50
20
25
300
300
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
SMV
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-3L1A
Weight: 0.014g (typ.)
Equivalent Circuit
(top view)
5
4
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.)
may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the
operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are
within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating
Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note1: Total rating
Q1
Q2
1
2
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Input resistor
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CE (sat)
f
T
C
ob
R1
Test Condition
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
EB
=
25 V, I
C
=
0
I
C
=
10 mA, I
B
=
1 mA
V
CE
=
6 V, I
C
=
4 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
Min
200
1.54
Typ.
30
2.2
Max
100
100
1200
0.1
7
2.86
V
MHz
pF
Unit
nA
nA
h
FE
(Note2) V
CE
=
2 V, I
C
=
4 mA
Note2:
h
FE
classification
A: 200~700, B: 350~1200
1
2007-11-21

RN1544A(TE85L)相似产品对比

RN1544A(TE85L) RN1544B(TE85L)
描述 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,300MA I(C),SOT-25 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,20V V(BR)CEO,300MA I(C),SOT-25
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.3 A 0.3 A
最小直流电流增益 (hFE) 200 350
元件数量 2 2
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W
表面贴装 YES YES
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