LT1101MJ8/883B放大器基础信息：
LT1101MJ8/883B是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为CERDIP-8
LT1101MJ8/883B放大器核心信息：
LT1101MJ8/883B的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.012 µA而其最大的输入失调电流（IIO）则仅为0.0013 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LT1101MJ8/883B的标称压摆率有0.1 V/us。其最大电压增益为100，最小电压增益为10。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LT1101MJ8/883B增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为0.037 MHz。
LT1101MJ8/883B的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LT1101MJ8/883B的输入失调电压为500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LT1101MJ8/883B的宽度为：7.62 mm。
LT1101MJ8/883B的相关尺寸：
LT1101MJ8/883B拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
LT1101MJ8/883B放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。LT1101MJ8/883B不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LT1101MJ8/883B的封装代码是：DIP。
LT1101MJ8/883B封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LT1101MJ8/883B封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
LT1101MJ8/883B放大器基础信息：
LT1101MJ8/883B是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为CERDIP-8
LT1101MJ8/883B放大器核心信息：
LT1101MJ8/883B的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.012 µA而其最大的输入失调电流（IIO）则仅为0.0013 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LT1101MJ8/883B的标称压摆率有0.1 V/us。其最大电压增益为100，最小电压增益为10。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LT1101MJ8/883B增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为0.037 MHz。
LT1101MJ8/883B的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LT1101MJ8/883B的输入失调电压为500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LT1101MJ8/883B的宽度为：7.62 mm。
LT1101MJ8/883B的相关尺寸：
LT1101MJ8/883B拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8
LT1101MJ8/883B放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。LT1101MJ8/883B不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LT1101MJ8/883B的封装代码是：DIP。
LT1101MJ8/883B封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LT1101MJ8/883B封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERDIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.012 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 0.037 MHz |
| 最小共模抑制比 | 78 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.0013 µA |
| 最大输入失调电压 | 500 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负供电电压上限 | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 最大非线性 | 0.009% |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 0.1 V/us |
| 供电电压上限 | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 最大电压增益 | 100 |
| 最小电压增益 | 10 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| LT1101MJ8/883B | LT1101AMH/883B | LT1101MH/883B | LT1101AMJ8/883B | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 500 uV OFFSET-MAX, 0.037 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier | IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 350 uV OFFSET-MAX, 0.037 MHz BAND WIDTH, MBCY8, METAL CAN, TO-5, 8 PIN, Instrumentation Amplifier | IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 500 uV OFFSET-MAX, 0.037 MHz BAND WIDTH, MBCY8, METAL CAN, TO-5, 8 PIN, Instrumentation Amplifier | IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 350 uV OFFSET-MAX, 0.037 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Instrumentation Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | TO-5 | TO-5 | DIP |
| 包装说明 | CERDIP-8 | METAL CAN, TO-5, 8 PIN | METAL CAN, TO-5, 8 PIN | CERDIP-8 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.012 µA | 0.01 µA | 0.012 µA | 0.01 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 0.037 MHz | 0.037 MHz | 0.037 MHz | 0.037 MHz |
| 最小共模抑制比 | 78 dB | 80 dB | 78 dB | 80 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.0013 µA | 0.0008 µA | 0.0013 µA | 0.0008 µA |
| 最大输入失调电压 | 500 µV | 350 µV | 500 µV | 350 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | O-MBCY-W8 | O-MBCY-W8 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 负供电电压上限 | -22 V | -22 V | -22 V | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
| 最大非线性 | 0.009% | 0.007% | 0.009% | 0.007% |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | METAL | METAL | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | TO-5 | TO-5 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | ROUND | ROUND | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 0.1 V/us | 0.1 V/us | 0.1 V/us | 0.1 V/us |
| 供电电压上限 | 22 V | 22 V | 22 V | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | WIRE | WIRE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | BOTTOM | BOTTOM | DUAL |
| 最大电压增益 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 最小电压增益 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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