LT1024AMD/883放大器基础信息：
LT1024AMD/883是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。
LT1024AMD/883放大器核心信息：
LT1024AMD/883的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.00012 µA
厂商给出的LT1024AMD/883的最大压摆率为1.6 mA，而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为100000。
LT1024AMD/883的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。LT1024AMD/883的输入失调电压为200 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LT1024AMD/883的相关尺寸：
LT1024AMD/883拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。
LT1024AMD/883放大器其他信息：
LT1024AMD/883采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。LT1024AMD/883的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其属于微功率放大器。LT1024AMD/883不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-XDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为：e0。LT1024AMD/883的封装代码是：DIP。
LT1024AMD/883封装的材料多为CERAMIC。而其封装形状为RECTANGULAR。LT1024AMD/883封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。
LT1024AMD/883放大器基础信息：
LT1024AMD/883是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。
LT1024AMD/883放大器核心信息：
LT1024AMD/883的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：0.00012 µA
厂商给出的LT1024AMD/883的最大压摆率为1.6 mA，而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为100000。
LT1024AMD/883的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。LT1024AMD/883的输入失调电压为200 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
LT1024AMD/883的相关尺寸：
LT1024AMD/883拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。
LT1024AMD/883放大器其他信息：
LT1024AMD/883采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其属于低失调类放大器。LT1024AMD/883的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
其属于微功率放大器。LT1024AMD/883不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-XDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为：e0。LT1024AMD/883的封装代码是：DIP。
LT1024AMD/883封装的材料多为CERAMIC。而其封装形状为RECTANGULAR。LT1024AMD/883封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00012 µA |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 200 µV |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | YES |
| 微功率 | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最小摆率 | 0.1 V/us |
| 最大压摆率 | 1.6 mA |
| 供电电压上限 | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 最小电压增益 | 100000 |
| Base Number Matches | 1 |
| LT1024AMD/883 | LT1024MD/883 | |
|---|---|---|
| 描述 | LT1024AMD/883 | LT1024MD/883 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00012 µA | 0.0002 µA |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 200 µV | 300 µV |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T14 | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 低-偏置 | YES | YES |
| 低-失调 | YES | YES |
| 微功率 | YES | YES |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最小摆率 | 0.1 V/us | 0.1 V/us |
| 最大压摆率 | 1.6 mA | 1.8 mA |
| 供电电压上限 | 20 V | 20 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 最小电压增益 | 100000 | 100000 |
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