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TH416

产品描述RF Power Bipolar Transistor, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小15KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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TH416概述

RF Power Bipolar Transistor, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4

TH416规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)12 A
集电极-发射极最大电压35 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRFM-F4
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)175 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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TH416
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI TH416
is a 28 V epitaxial planar
transistor primarily designed for SSB
communications.
PACKAGE STYLE .500 4L FLG
.112x45°
A
FULL R
L
FEATURES:
P
G
= 12 dB min. at 130 W/30 MHz
IMD
= -30 dBc max. at 130 W
(PEP)
Omnigold™
Metalization System
Emitter Ballasting
C
B
E
C
Ø.125 NOM.
B
D
G
F
E
E
H
I J
K
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
12 A
70 V
35 V
4.0 V
175 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
1.0 °C/W
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
.980 / 24.89
.970 / 24.64
.495 / 12.57
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.245 / 6.22
.720 / 18.28
.125 / 3.18
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
1.050 / 26.67
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
.220 / 5.59
.125 / 3.18
.230 / 5.84
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
ob
G
P
IMD
I
C
= 50 mA
I
E
= 20 mA
V
CE
= 35 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CE
= 28
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 100 mA
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
35
70
4.0
20
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
dB
I
C
= 7.0 A
f = 1.0 MHz
P
PUT
= 130 W
I
CQ
= 150 mA
20
---
12
220
50
---
f = 30.000 MHz
-30
dBc
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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