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MKI48Z18B10

产品描述8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA28
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文件大小104KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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MKI48Z18B10概述

8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA28

MKI48Z18B10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
其他特性BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION
JESD-30 代码R-XDMA-T28
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
混合内存类型N/A
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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