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HYS64D32000HU-8-B

产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
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文件大小1MB,共51页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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HYS64D32000HU-8-B概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184

HYS64D32000HU-8-B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数184
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.8 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N184
JESD-609代码e3
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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