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JANJV1N6119

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小97KB,共2页
制造商General Instrument Corp
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JANJV1N6119概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon,

JANJV1N6119规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW IMPEDANCE
最小击穿电压32.4 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码E-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/516
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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