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CMM5104D1DZ

产品描述Standard SRAM, 4KX1, 250ns, CMOS, CDIP18, PLASTIC, DIP-18
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文件大小212KB,共9页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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CMM5104D1DZ概述

Standard SRAM, 4KX1, 250ns, CMOS, CDIP18, PLASTIC, DIP-18

CMM5104D1DZ规格参数

参数名称属性值
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间250 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T18
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX1
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)6.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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