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MT4C1026-8

产品描述Static Column DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
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文件大小360KB,共12页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT4C1026-8概述

Static Column DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18

MT4C1026-8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
针数18
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式STATIC COLUMN
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
长度22.095 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度4.32 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1
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