HYM76V4M635HGLT6-K,HYM76V4M635HGLT6-K pdf中文资料,HYM76V4M635HGLT6-K引脚图,HYM76V4M635HGLT6-K电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYM76V4M635HGLT6-K

HYM76V4M635HGLT6-K: 产品描述Synchronous DRAM Module, 4MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小147KB，共13页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HYM76V4M635HGLT6-K概述

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-168

HYM76V4M635HGLT6-K规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DMA
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

HYM76V4M635HGLT6-K相似产品对比

	HYM76V4M635HGLT6-K	HYM76V4M635HGT6-H	HYM76V4M635HGT6-K
描述	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-168	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-168	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 5.4ns, CMOS, SODIMM-168
零件包装代码	DMA	DMA	DMA
包装说明	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32	DIMM, DIMM144,32
针数	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	168	168	168
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX64	4MX64	4MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096
自我刷新	YES	YES	YES
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	0.8 mA	0.8 mA	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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