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LC-1002

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 450V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小159KB,共4页
制造商PowerTech Inc
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LC-1002概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 450V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

LC-1002规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-MDFM-P3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FET DRIVING BIPOLAR TRANSISTOR IN HYBRID CONFIGURATION
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)50 A
集电极-发射极最大电压450 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值4.7 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-MDFM-P3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值350 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称接通时间 (ton)900 ns
VCEsat-Max2.2 V
Base Number Matches1

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