Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ 600 N 08...14
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40°C...T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
C
= 85°C
T
C
= 77°C
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6. Kennbuchstabe / 6th letter F
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
800, 1000
1200, 1400
800, 1000
1200, 1400
900, 1100
1300, 1500
1050
V
V
V
V
V
V
A
V
DSM
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
600
670
17000
14000
1445000
980000
200
A
A
A
A
A²s
A²s
A/µs
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
1000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1700A
v
T
max.
1,53
V
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,9
V
T
vj
= T
vj max
r
T
0,27
mΩ
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
I
GT
max.
250
mA
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
V
GT
max.
2,2
V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
max.
10
5
0,25
mA
mA
V
V
GD
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
A
= 5Ω
I
H
max.
300
mA
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
GK
≥
10Ω
i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs, t
G
= 20µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= 600A
v
RM
= 100V, V
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/µs, -di
T
/dt = 10A/µs
5. Kennbuchstabe / 5th letter O
I
L
max. 1500
mA
i
D
, i
R
max.
140
mA
t
gd
max.
4
µs
t
q
typ.
V
ISOL
250
3,0
3,6
µs
kV
kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
SZ-MA; R. Jörke
29. Jul 98
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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pro Modul / per module,
Θ
= 180°sin
pro Modul / per module, DC
pro Modul / per module
N
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thJC
max.
max.
max.
0,065 °C/W
0,062 °C/W
0,020 °C/W
R
thCK
T
vj max
135 °C
T
c op
- 40...+135 °C
T
stg
- 40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
Toleranz / tolerance ±15%
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AlN
M1
5 Nm
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
12 Nm
G
typ.
900 g
15 mm
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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29. Jul 98
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Phase Control Thyristor Module
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N
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z für DC
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z for DC
thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[
°
C / W
]
0,00137
0,00486
0,01140
0,02230
0,02210
τ
n
[
s
]
0,00076
0,00860
0,10100
0,56000
3,12000
Analytische Funktion:
Z
thJC
t
−
τ
n
=
R
thn
1
−
e
n
=
1
n
max
∑
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29. Jul 98
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聊聊、笑笑、闹闹
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