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THM91000AL-80

产品描述IC 1M X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA30, SIMM-30, Dynamic RAM
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文件大小600KB,共17页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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THM91000AL-80概述

IC 1M X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA30, SIMM-30, Dynamic RAM

THM91000AL-80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SIMM
包装说明,
针数30
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-XSMA-T30
JESD-609代码e0
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX9
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

THM91000AL-80相似产品对比

THM91000AL-80 THM91000AL-10 THM91000AS-80 THM91000AS-70
描述 IC 1M X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA30, SIMM-30, Dynamic RAM IC 1M X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 100 ns, SMA30, SIMM-30, Dynamic RAM IC 1M X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA30, SIMM-30, Dynamic RAM IC 1M X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 70 ns, SMA30, SIMM-30, Dynamic RAM
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM
针数 30 30 30 30
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 80 ns 100 ns 80 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30
内存密度 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 9 9 9 9
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 30 30 30 30
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX9 1MX9 1MX9 1MX9
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
厂商名称 - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
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