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SDT5553

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共21页
制造商Solitron Devices Inc
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SDT5553概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,

SDT5553规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值7 W
最大功率耗散 (Abs)7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
VCEsat-Max0.35 V
Base Number Matches1

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