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THMY51E10C75

产品描述IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM
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文件大小707KB,共13页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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THMY51E10C75概述

IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM

THMY51E10C75规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
长度133.35 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度43.18 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.049 A
最大压摆率3.429 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度4 mm
Base Number Matches1

THMY51E10C75相似产品对比

THMY51E10C75 THMY51E10C70
描述 IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM IC 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA168, DIMM-168, Dynamic RAM
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 143 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
长度 133.35 mm 133.35 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 4 4
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 64MX4 64MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192
座面最大高度 43.18 mm 43.18 mm
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.049 A 0.049 A
最大压摆率 3.429 mA 3.429 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 4 mm 4 mm
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