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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SK2058
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2SK2058

产品描述Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PB, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB，共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SK2058概述

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PB, 3 PIN

2SK2058规格参数

参数名称属性值
Objectid1482885694
零件包装代码TO-3PB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.16 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值120 W
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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