电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

KS512MRT-806C

产品描述Flash Memory Drive, CMOS, PBGA52, 23 X 21 MM, BGA-52
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小604KB,共30页
制造商Cactus Technologies
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

KS512MRT-806C概述

Flash Memory Drive, CMOS, PBGA52, 23 X 21 MM, BGA-52

KS512MRT-806C规格参数

参数名称属性值
包装说明BGA,
Reach Compliance Codeunknown
其他特性SEATED HT-CALCULATED
外部数据总线宽度2
主机数据传输速率最大值20 MBps
JESD-30 代码R-PBGA-B52
长度23 mm
端子数量52
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
座面最大高度2.75 mm
最大供电电压3.6 V
最小供电电压2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距2 mm
端子位置BOTTOM
宽度21 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Industrial Grade
-806 Series
SD Card and SDChip™
Product Manual
Corporate Headquarters
Suite C, 15/F, Capital Trade Center
62 Tsun Yip Street, Kwun Tong
Kowloon, Hong Kong
Cactus Technologies Limited
Industrial Grade -806 SD Card & SDChip
TM
Product Manaul
v2.1
1

KS512MRT-806C相似产品对比

KS512MRT-806C KS512MRT-806 KS256MRT-806C KS256MRT-806 KS128MRT-806 KS128MRT-806C
描述 Flash Memory Drive, CMOS, PBGA52, 23 X 21 MM, BGA-52 Flash Memory Drive, CMOS, PACKAGE-9 Flash Memory Drive, CMOS, PBGA52, 23 X 21 MM, BGA-52 Flash Memory Drive, CMOS, PACKAGE-9 Flash Memory Drive, CMOS, PACKAGE-9 Flash Memory Drive, CMOS, PBGA52, 23 X 21 MM, BGA-52
包装说明 BGA, DIE, BGA, DIE, DIE, BGA,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
外部数据总线宽度 2 4 2 4 4 2
主机数据传输速率最大值 20 MBps 20 MBps 20 MBps 20 MBps 20 MBps 20 MBps
JESD-30 代码 R-PBGA-B52 R-XUUC-N9 R-PBGA-B52 R-XUUC-N9 R-XUUC-N9 R-PBGA-B52
长度 23 mm 32 mm 23 mm 32 mm 32 mm 23 mm
端子数量 52 9 52 9 9 52
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA DIE BGA DIE DIE BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY UNCASED CHIP GRID ARRAY UNCASED CHIP UNCASED CHIP GRID ARRAY
座面最大高度 2.75 mm 2.25 mm 2.75 mm 2.25 mm 2.25 mm 2.75 mm
最大供电电压 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 BALL NO LEAD BALL NO LEAD NO LEAD BALL
端子位置 BOTTOM UPPER BOTTOM UPPER UPPER BOTTOM
宽度 21 mm 24 mm 21 mm 24 mm 24 mm 21 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
EZ-CUBE仿真器中文使用手册
1、EZ-CUBE仿真器介绍1270742、EZ-CUBE仿真器软件127075 3、EZ-CUBE硬件1270764、配套光盘资料127077 产品包装127078瑞萨新一代EZ-CUBE 支持在线调试、编程,主要支持瑞萨RL78G系列芯片,具体 ......
xuyiyi 瑞萨MCU/MPU
谁帮我看看这个串口的部分程序 谢谢
这是串口通信程序 在书抄下来的 其中一部分是这样的 发送请求信号0xaa 等待响应0xbb do { SBUF=Send_Inf; ///发送联络信号 aa while(TI==0); //确认发送完了 ......
batonsoft 嵌入式系统
问一个串口通信后数据处理的问题(VC++)
写了个跟串口通信有关的程序。串口接受的代码如下: void CMyDlg::OnComm() { // TODO: Add your control notification handler code here VARIANT variant_inp; COleSafeArray safear ......
雪莱 嵌入式系统
EEWORLD大学堂----时域测试技术综合实验
时域测试技术综合实验:https://training.eeworld.com.cn/course/4909本课程面向全日制专业学位研究生,以工程应用为重心,以“测控技术与嵌入式系统研究生实践平台”为依托,以时域测试技术为 ......
JFET 测试/测量
电容检测
有做过电容检测的朋友嘛?PCAP01这个芯片是哪里卖的?现在需要检测一个16-18Pf的可变电容。希望朋友们给个建议。或推荐几款电容测量的芯片啊。...
g200407331 微控制器 MCU
关于EEPROM的掉电保存问题
还是我啦,我觉得上次发的帖子少了很多东西,这次把原理图和PDF资料也加上了,请各位大侠看看这个编码器的程序到底为什么不能实现掉电保存功能,是不是pcon的问题呢?我试过了但是还是有问题~! ......
lwl370705 51单片机

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 640  2815  686  311  2902  13  57  14  7  59 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved