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2SK1863

产品描述Silicon N-Channel MOS FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小29KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SK1863概述

Silicon N-Channel MOS FET

2SK1863规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TO-220FM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏源导通电阻3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

2SK1863相似产品对比

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描述 Silicon N-Channel MOS FET PFM Controlled Step-Up DC/DC Converter / Controller ICs
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