Silicon N-Channel MOS FET
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | TO-3PL |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
Is Samacsys | N |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 50 A |
最大漏源导通电阻 | 0.1 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 250 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
Base Number Matches | 1 |
2SK1836 | 2SK1837 | |
---|---|---|
描述 | Silicon N-Channel MOS FET | Silicon N-Channel MOS FET |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | TO-3PL | TO-3PL |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 2 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
Is Samacsys | N | N |
配置 | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 50 A | 50 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 250 W | 250 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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