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KM616FU1010AFI-10

产品描述Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
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文件大小267KB,共9页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM616FU1010AFI-10概述

Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

KM616FU1010AFI-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,30
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度7 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.000001 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6 mm
Base Number Matches1

KM616FU1010AFI-10相似产品对比

KM616FU1010AFI-10 KM616FU1010AFI-7
描述 Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30
针数 48 48
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 100 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e0 e0
长度 7 mm 7 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端子数量 48 48
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 64KX16 64KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A
最小待机电流 1.5 V 1.5 V
最大压摆率 0.035 mA 0.035 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 6 mm 6 mm
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