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FR105G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小318KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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FR105G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

FR105G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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FR101G-FR107G
Technical Data
Data Sheet N0442, Rev. A
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 Amperes
FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
Features
FR101G THRU FR107G
DO-41
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Fast switching for high efficiency
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed: 260 C/10
seconds,0.375”(9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension
Glass passivated chip junction
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
Circuit Diagram
Mechanical Data
Case: JEDEC DO-41 molded plastic body
Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.34 grams
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum RMS voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at @T
A
=55°C
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-
wave superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
At Rated DC Blocking Voltage
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
Symbol
V
RRM
V
DC
V
RMS
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
RM
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
, T
STG
150
15
40
-65 to +150
FR
FR
FR
101G 102G 103G
50
35
5
100
3
70
1
200
7
140
FR
104G
2
400
1
280
1.0
30
1.3
5.0
100
250
500
FR
105G
4
600
2
420
FR
FR
106G 107G
6
800
4
560
8
1000
5
700
Units
1
V
1
V
A
A
V
µA
ns
pF
°C/W
°C
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to
Ambient (Note 3)
Operating junction and storage temperature range
Note: 1. Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3. Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length, P.C.B. mounted
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com
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