MQPLAD30KP16CAE3TR,MQPLAD30KP16CAE3TR pdf中文资料,MQPLAD30KP16CAE3TR引脚图,MQPLAD30KP16CAE3TR电路-Datasheet-电子工程世界

MQPLAD30KP16CAE3TR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 16V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小269KB，共5页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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MQPLAD30KP16CAE3TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 16V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
针数	1
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	19.7 V
最小击穿电压	17.8 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	S-PSSO-G1
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	30000 W
元件数量	1
端子数量	1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	2.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	16 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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