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S40JR

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon, DO-5,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小932KB,共2页
制造商Daco Semiconductor Co Ltd
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S40JR概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon, DO-5,

S40JR规格参数

参数名称属性值
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-5
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流595 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流40 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Features
High Surge Capability
Types Up to 1600V V
RRM
S40B(R)
THRU
S40Y(R)
STANDARD RECOVERY DIODE STUD TYPES
40A
40 Amp Recti er
100-1600 Volts
Maximum Ratings
Operating Temperature:
Storage Temperature:
-55 C to +175
DO-5
M
-55 C to +175
J
Part Number
S40B(R)
S40D(R)
S40G(R)
S40J(R)
S40K(R)
S40M(R)
S40Q(R)
S40V(R)
S40Y(R)
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
Maximum
RMS Voltage
70V
140V
280V
420V
560V
700V
840V
990V
1130V
Maximum DC
Blocking
Voltage
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
K
P
D
B
N
C
G
F
A
E
Electrical Characteristics @ 25
Average Forward
Current
(Per pkg)
Peak F orward Sur ge
Cur rent
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage *
Maximum
Instantaneous
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
(Per leg)
Unless Otherwise Specified
40 A
595A
1.1V
T
C
= 140
DIM
Notes :
1.Standard Polarity Stud is Cathod
2.Reverse Polarity: Stud is Anode
Inches
Min
A
B
C
D
E
F
0.669
-----
-----
0.422
0.115
-----
-----
0.236
-----
-----
0.140
0.687
0.794
1.020
0.453
0.200
0.460
0.280
-----
0.589
0.063
0.175
Max
1/4 –28 UNF
17.19
-----
-----
10.72
2.93
-----
-----
6.00
-----
-----
3.56
17.44
20.16
25.91
11.50
5.08
11.68
7.00
-----
14.96
1.60
4.45
Min
I
F(AV)
I
FSM
V
F
Millimeters
Max
8.3ms , half sine
I
FM
= 40A
T
J
= 25
T
J
= 25
T
J
= 175
I
R
μ
10 A
12 mA
Maximum Thermal
Resistance Junction
To Case
Mounting torque
R jc
Inch pounds
(in-pb)
1.35 C/W
30
G
J
K
M
N
Pulse Test: Pulse Width 300
μsec.
Duty Cycle
<
2%
P
www.dacosemi.com.tw
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