Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> 5962-9053601PA

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5962-9053601PA: 产品描述5962-9053601PA放大器基础信息： 5962-9053601PA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERDIP-8 5962-9053601PA放大器核心信息： 5962-9053601PA的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：8 µA 厂商给出的5962-9053601PA的最大压摆率为11.5 mA，而最小压摆率为250 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962-9053601PA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为90000 kHz。5962-9053601PA的功率为NO。其可编程功率为NO。 5962-9053601PA的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。5962-9053601PA的输入失调电压为3500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962-9053601PA的宽度为：7.62 mm。 5962-9053601PA的相关尺寸： 5962-9053601PA拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8 5962-9053601PA放大器其他信息： 5962-9053601PA采用了CURRENT-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962-9053601PA的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。其不属于微功率放大器。5962-9053601PA不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962-9053601PA的封装代码是：DIP。 5962-9053601PA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962-9053601PA封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小36KB，共9页; 制造商ADI(亚德诺半导体); 官网地址https://www.analog.com; 器件替换：5962-9053601PA替换放大器

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5962-9053601PA概述

5962-9053601PA放大器基础信息：

5962-9053601PA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为CERDIP-8

5962-9053601PA放大器核心信息：

5962-9053601PA的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为：8 µA

厂商给出的5962-9053601PA的最大压摆率为11.5 mA，而最小压摆率为250 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，5962-9053601PA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为90000 kHz。5962-9053601PA的功率为NO。其可编程功率为NO。

5962-9053601PA的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为：+-15 V。5962-9053601PA的输入失调电压为3500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）5962-9053601PA的宽度为：7.62 mm。

5962-9053601PA的相关尺寸：

5962-9053601PA拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：8

5962-9053601PA放大器其他信息：

5962-9053601PA采用了CURRENT-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962-9053601PA的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。

其不属于微功率放大器。5962-9053601PA不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。5962-9053601PA的封装代码是：DIP。

5962-9053601PA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962-9053601PA封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

5962-9053601PA规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	CERDIP-8
针数	8
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	CURRENT-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	8 µA
标称共模抑制比	56 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电压	3500 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0
低-偏置	NO
低-失调	NO
微功率	NO
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
功能数量	2
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
功率	NO
电源	+-15 V
可编程功率	NO
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.08 mm
最小摆率	250 V/us
最大压摆率	11.5 mA
供电电压上限	18 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	NO
技术	BIPOLAR
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	90000 kHz
宽带	NO
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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Drawing updated to reflect current requirements. - ro

DATE (YR-MO-DA)

01-06-20

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R. MONNIN

THE ORIGINAL FIRST SHEET OF THIS DRAWING HAS BEEN REPLACED.

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OF SHEETS

PMIC N/A

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PREPARED BY

RICK C. OFFICER

STANDARD

MICROCIRCUIT

DRAWING

THIS DRAWING IS AVAILABLE

FOR USE BY ALL

DEPARTMENTS

AND AGENCIES OF THE

DEPARTMENT OF DEFENSE

CHECKED BY

CHARLES E. BESORE

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43216

http://www.dscc.dla.mil

APPROVED BY

MICHAEL A. FRYE

MICROCIRCUIT, LINEAR, DUAL HIGH SPEED

CURRENT FEEDBACK OPERATIONAL

AMPLIFIER, MONOLITHIC SILICON

DRAWING APPROVAL DATE

90-05-30

AMSC N/A

REVISION LEVEL

SIZE

SHEET

CAGE CODE

67268

1 OF

5962-90536

DSCC FORM 2233

APR 97

DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

5962-E492-01

2. APPLICABLE DOCUMENTS

2.1 Government specification, standards, and handbooks. The following specification, standards, and handbooks form a

part of this drawing to the extent specified herein. Unless otherwise specified, the issues of these documents are those listed

in the issue of the Department of Defense Index of Specifications and Standards (DoDISS) and supplement thereto, cited in

the solicitation.

SPECIFICATION

DEPARTMENT OF DEFENSE

MIL-PRF-38535 -- Integrated Circuits, Manufacturing, General Specification for.

STANDARDS

DEPARTMENT OF DEFENSE

MIL-STD-883 -

MIL-STD-1835 -

HANDBOOKS

DEPARTMENT OF DEFENSE

MIL-HDBK-103 -- List of Standard Microcircuit Drawings.

MIL-HDBK-780 - Standard Microcircuit Drawings.

(Unless otherwise indicated, copies of the specification, standards, and handbooks are available from the Standardization

Document Order Desk, 700 Robbins Avenue, Building 4D, Philadelphia, PA 19111-5094.)

2.2 Order of precedence. In the event of a conflict between the text of this drawing and the references cited herein, the text

of this drawing takes precedence. Nothing in this document, however, supersedes applicable laws and regulations unless a

specific exemption has been obtained.

3. REQUIREMENTS

3.1 Item requirements. The individual item requirements shall be in accordance with MIL-PRF-38535, appendix A for non-

JAN class level B devices and as specified herein. Product built to this drawing that is produced by a Qualified Manufacturer

Listing (QML) certified and qualified manufacturer or a manufacturer who has been granted transitional certification to MIL-

PRF-38535 may be processed as QML product in accordance with the manufacturers approved program plan and qualifying

activity approval in accordance with MIL-PRF-38535. This QML flow as documented in the Quality Management (QM) plan

may make modifications to the requirements herein. These modifications shall not affect form, fit, or function of the device.

These modifications shall not affect the PIN as described herein. A "Q" or "QML" certification mark in accordance with MIL-

PRF-38535 is required to identify when the QML flow option is used.

3.2 Design, construction, and physical dimensions. The design, construction, and physical dimensions shall be as

specified in MIL-PRF-38535, appendix A and herein.

3.2.1 Case outlines. The case outlines shall be in accordance with 1.2.2 herein.

3.2.2 Terminal connections. The terminal connections shall be as specified on figure 1.

3.3 Electrical performance characteristics. Unless otherwise specified herein, the electrical performance characteristics are

as specified in table I and shall apply over the full ambient operating temperature range.

Test Method Standard Microcircuits.

Interface Standard Electronic Component Case Outlines.

STANDARD

MICROCIRCUIT DRAWING

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43216-5000

DSCC FORM 2234

APR 97

SIZE

REVISION LEVEL

5962-90536

SHEET

5962-9053601PA相似产品对比

	5962-9053601PA	5962-90536012A	5962-9053601GA
描述	IC DUAL OP-AMP, 3500 uV OFFSET-MAX, 90 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier	IC DUAL OP-AMP, 3500 uV OFFSET-MAX, 90 MHz BAND WIDTH, CQCC20, CERAMIC, LCC-20, Operational Amplifier	IC DUAL OP-AMP, 3500 uV OFFSET-MAX, 90 MHz BAND WIDTH, MBCY8, METAL CAN, TO-99, 8 PIN, Operational Amplifier
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	QLCC	BCY
包装说明	CERDIP-8	CERAMIC, LCC-20	METAL CAN, TO-99, 8 PIN
针数	8	20	8
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	CURRENT-FEEDBACK	CURRENT-FEEDBACK	CURRENT-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	8 µA	8 µA	8 µA
标称共模抑制比	56 dB	56 dB	56 dB
频率补偿	YES	YES	YES
最大输入失调电压	3500 µV	3500 µV	3500 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8	S-CQCC-N20	O-MBCY-W8
JESD-609代码	e0	e0	e0
低-偏置	NO	NO	NO
低-失调	NO	NO	NO
微功率	NO	NO	NO
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V
功能数量	2	2	2
端子数量	8	20	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	METAL
封装代码	DIP	QCCN	TO-99
封装等效代码	DIP8,.3	LCC20,.35SQ	CAN8,.2
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	ROUND
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	220	NOT SPECIFIED
功率	NO	NO	NO
电源	+-15 V	+-15 V	+-15 V
可编程功率	NO	NO	NO
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
最小摆率	250 V/us	250 V/us	250 V/us
最大压摆率	11.5 mA	11.5 mA	11.5 mA
供电电压上限	18 V	18 V	18 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V
表面贴装	NO	YES	NO
技术	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	WIRE
端子位置	DUAL	QUAD	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	90000 kHz	90000 kHz	90000 kHz
宽带	NO	NO	NO
Base Number Matches	1	1	1
座面最大高度	5.08 mm	2.54 mm	-
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	-
宽度	7.62 mm	8.89 mm	-

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