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IDT70105S55J8

产品描述Multi-Port SRAM, 1KX9, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
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文件大小421KB,共15页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70105S55J8概述

Multi-Port SRAM, 1KX9, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

IDT70105S55J8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码LCC
包装说明PLASTIC, LCC-52
针数52
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e0
长度19.1262 mm
内存密度9216 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量2
端子数量52
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度19.1262 mm
Base Number Matches1
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