NM27C512VE120概述

OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

NM27C512VE120规格参数

参数名称	属性值
包装说明	QCCJ,
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	120 ns
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e0
长度	13.995 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
座面最大高度	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	11.455 mm
Base Number Matches	1

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NM27C512VE120相似产品对比

	NM27C512VE120	NM27C512Q120	NM27C512N90	NM27C512N120	NM27C512N150	NM27C512NE150
描述	OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERDIP-28	OTP ROM, 64KX8, 90ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28	OTP ROM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28	OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28	OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
包装说明	QCCJ,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	120 ns	120 ns	90 ns	120 ns	150 ns	150 ns
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-GDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	UVPROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM	OTP ROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	28	28	28	28	28
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
座面最大高度	3.56 mm	5.969 mm	5.334 mm	5.334 mm	5.334 mm	5.334 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	11.455 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm
长度	13.995 mm	-	35.942 mm	35.942 mm	35.942 mm	35.942 mm
厂商名称	-	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics

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