Buffer, 4000/14000/40000 Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, CDIP16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | RADIATION HARDENED; WITH EXTENDED INPUT VOLTAGE; IOL = 2.1MA @ VOL = 0.4V; IOH = 0.58MA @ VOH = 2.5V |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUFFER |
| 最大I（ol） | 0.00036 A |
| 功能数量 | 6 |
| 输入次数 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 270 ns |
| 传播延迟（tpd） | 175 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 1M Rad(Si) V |
| Base Number Matches | 1 |
| CD4010BFMSH | CD4010BDMSH | CD4010BKMSH | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Buffer, 4000/14000/40000 Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, CDIP16 | Buffer, 4000/14000/40000 Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, CDIP16 | Buffer, 4000/14000/40000 Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, CDFP16 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DFP, FL16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 其他特性 | RADIATION HARDENED; WITH EXTENDED INPUT VOLTAGE; IOL = 2.1MA @ VOL = 0.4V; IOH = 0.58MA @ VOH = 2.5V | RADIATION HARDENED; WITH EXTENDED INPUT VOLTAGE; IOL = 2.1MA @ VOL = 0.4V; IOH = 0.58MA @ VOH = 2.5V | RADIATION HARDENED; WITH EXTENDED INPUT VOLTAGE; IOL = 2.1MA @ VOL = 0.4V; IOH = 0.58MA @ VOH = 2.5V |
| 系列 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | R-CDIP-T16 | R-CDFP-F16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUFFER | BUFFER | BUFFER |
| 最大I（ol） | 0.00036 A | 0.00036 A | 0.00036 A |
| 功能数量 | 6 | 6 | 6 |
| 输入次数 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DFP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | FL16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | FLATPACK |
| 电源 | 5/15 V | 5/15 V | 5/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 270 ns | 270 ns | 270 ns |
| 传播延迟（tpd） | 175 ns | 175 ns | 175 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18 V | 18 V | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 1M Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
| 厂商名称 | - | Harris | Harris |
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