1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PQCC32
1M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 11 ns, PQCC32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 11 ns |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 8388608 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 48,13 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 组织 | 1MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.56 mm |
| 部门规模 | 4K,64K |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 11.43 mm |
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