16 Mbit (512 Kb x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFP-80 |
| 针数 | 80 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 80 ns |
| 其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK |
| 启动块 | BOTTOM |
| 命令用户界面 | YES |
| 通用闪存接口 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G80 |
| JESD-609代码 | e3/e4 |
| 长度 | 20 mm |
| 内存密度 | 16777216 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 8,31 |
| 端子数量 | 80 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 512KX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QFP |
| 封装等效代码 | QFP80,.7X.9,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 电源 | 2.5/3.3,3/3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.4 mm |
| 部门规模 | 2K,16K |
| 最大待机电流 | 0.000005 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 切换位 | NO |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 14 mm |
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