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KM23C8000HG-10

产品描述MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
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文件大小90KB,共4页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM23C8000HG-10概述

MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

KM23C8000HG-10规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP32,.56
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.47 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3 mm
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

KM23C8000HG-10相似产品对比

KM23C8000HG-10 KM23C8000H-15 KM23C8000HG-12 KM23C8000HG-15 KM23C8000H-10 KM23C8000H-12
描述 MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOIC DIP SOIC SOIC DIP DIP
包装说明 SOP, SOP32,.56 DIP, DIP32,.6 SOP, SOP32,.56 SOP, SOP32,.56 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6
针数 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 100 ns 150 ns 120 ns 150 ns 100 ns 120 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20.47 mm 41.91 mm 20.47 mm 20.47 mm 41.91 mm 41.91 mm
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP SOP SOP DIP DIP
封装等效代码 SOP32,.56 DIP32,.6 SOP32,.56 SOP32,.56 DIP32,.6 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3 mm 5.08 mm 3 mm 3 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 11.43 mm 15.24 mm 11.43 mm 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm
厂商名称 - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
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