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M58LW128A150N1T: 产品描述128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories; 产品类别存储存储; 文件大小330KB，共65页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M58LW128A150N1T概述

128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TSOP
包装说明	14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
针数	56
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	150 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G56
JESD-609代码	e0
长度	18.4 mm
内存密度	134217728 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	128
端子数量	56
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP56,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	8 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/3.3,3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	64K
最大待机电流	0.00012 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	14 mm

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ