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M59DR032A120ZB1T

产品描述32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小22KB,共1页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M59DR032A120ZB1T概述

32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

M59DR032A120ZB1T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间120 ns
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e1
长度12 mm
内存密度33554432 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,63
端子数量48
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
页面大小4 words
并行/串行PARALLEL
电源1.8/2 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.35 mm
部门规模4K,32K
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)2.2 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度7 mm
Base Number Matches1

 
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