N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Nexperia |
| 零件包装代码 | TO-220 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT78A |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 352 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 75 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0093 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 203 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 439 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| BUK9508-55B,127 | BUK9608-55B,118 | |
|---|---|---|
| 描述 | N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| Brand Name | Nexperia | Nexperia |
| 零件包装代码 | TO-220 | D2PAK |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | SOT78A | SOT404 |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 352 mJ | 352 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 55 V | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 75 A | 75 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0093 Ω | 0.0093 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 439 A | 439 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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