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2SK1170

产品描述Silicon N-Channel MOS FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共9页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SK1170概述

Silicon N-Channel MOS FET

2SK1170规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.27 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)120 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

2SK1170相似产品对比

2SK1170 2SK1169
描述 Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 TO-3P TO-3P
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown
Is Samacsys N N
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 20 A 20 A
最大漏源导通电阻 0.27 Ω 0.25 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 120 W 120 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1
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