Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW POWER LOSS |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-35 |
JESD-30 代码 | O-XALF-W2 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 0.2 A |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大重复峰值反向电压 | 120 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |
BAV19A0G | BAV20R0G | BAV21 A0G | BAV19 A0G | BAV20 A0G | |
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描述 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35, | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, | DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35 | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | 标准 | 标准 | 标准 |
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) | - | - | 250V | 100V | 150V |
电流 - 平均整流(Io) | - | - | 200mA | 200mA | 200mA |
不同 If 时的电压 - 正向(Vf | - | - | 1.25V @ 200mA | 1.25V @ 200mA | 1.25V @ 200mA |
速度 | - | - | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | - | - | 100nA @ 250V | 100nA @ 100V | 100nA @ 150V |
不同 Vr,F 时的电容 | - | - | 5pF @ 0V,1MHz | 5pF @ 0V,1MHz | 5pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | - | - | 通孔 | 通孔 | 通孔 |
封装/外壳 | - | - | DO-204AH,DO-35,轴向 | DO-204AH,DO-35,轴向 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
供应商器件封装 | - | - | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
工作温度 - 结 | - | - | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
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