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IDT6116SA55FB

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDFP24, FP-24
产品类别存储    存储   
文件大小275KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT6116SA55FB概述

Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDFP24, FP-24

IDT6116SA55FB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DFP
包装说明FP-24
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDFP-F24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL24,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度2.286 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度9.9 mm
Base Number Matches1

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