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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> TSMBJ1006CB
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TSMBJ1006CB

产品描述Silicon Surge Protector, 110V V(BO) Max, 60A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小81KB，共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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TSMBJ1006CB概述

Silicon Surge Protector, 110V V(BO) Max, 60A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

TSMBJ1006CB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-214AA
包装说明PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最大转折电压110 V
配置SINGLE
最大断态直流电压60 V
最大维持电流750 mA
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
通态非重复峰值电流60 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
重复峰值反向电压60 V
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches1

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8700 E. Thomas Road
Scottsdale, AZ 85252
Tel: (480) 941-6300
Fax: (480) 947-1503
TSMBJ1005C
thru
TSMBJ1024CB
Bi-directional
100 AMP
Thyristor Surge
Protective Devices
(TSPD)
MECHANICAL
CHARACTERISTICS
CASE STYLE: SMBJ (DO-214AA)
CASE STYLE: SMBG (DO-
215AA)
SMBJ
SMBG
FEATURES
•
•
•
•
•
•
•
•
Bidirectional Transient Voltage Protection
Surge capabilities up to 100 Amps @ 10/1000 µs or 300 Amps @8/20 µs (note 2,5)
Initial Breakdown Voltage from 60 to 300 volts
Positive Resistance Breakover Voltages from 100 to 400 volts
Clamping speeds of Nanoseconds and Oxide-Glass Passivated Junctions
High Off-State Impedance (low leakage) and low on-state voltage (crowbar action)
Encapsulating material meets UL 94VO requirements
UL RECOGNIZED: Qualified to UL 497B File No. E152273
•
•
•
•
•
•
•
Bellcore 1089 compliant add "B" suffix (TSMBJ1005CB - TSMBJ1024CB)
0
0
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperatures: -40 C to +150 C
0
0
Storage Temperature: -65 C to +150 C
Repetitive Off-State Voltage (both directions): See Electrical Characteristics for V
DRM
Non-Repetitive Peak Impulse Current (I
PP
): 100 A @ 10/1000 µs or 300 A @ 8/20 µs
Option: Bellcore 1089 compliant (I
PP
= 312.5 A @ 8/20 µs)
Non-Repetitive Peak On-State Current (I
TSM
): @ 8.3 ms (one-half cycle); 60 Amps
MECHANICAL
•
•
•
Lead solder temperature (10 sec duration) 260ºC
Weight: 1.5 grams(approximate)
Marked with logo and marking code
PACKAGING
•
•
Tape & Reel EIA Standard 481-1-A
13 inch reel 2,500, pieces
INCHES
MIN/MAX
A
B
C
Breakover
Voltage
On-State
Voltage
@I
T
= 1 A
(pulsed)
V
T
VOLTS
MAX
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
I
H
mA
MIN
150
150
150
150
150
150
I
H
mA
MAX
750
750
750
750
750
750
Co
@ 0v
pF
MAX
200
200
200
200
200
200
Co
@ 50v
pF
MAX
100
100
100
100
100
100
D
Holding
Current
Capacitance
(1 MHz)
E
F
G
H
.077/.083
.160/.180
.130/1.55
.205/.220
.075/.095
.235/.255
.015/.030
.030/.060
MILLIMETERS
MIN/MAX
1.96/2.10
4.06/4.57
3.30/3.94
5.21/5.59
1.91/2.41
5.97/6.48
0.38/0.76
0.76/1.52
Electrical Characteristics @ 25ºC
Rated Peak
Pulse Current
100 Amps @
10/1000 µs
Part Number
Rated
Repetitive
Product
Off-State
Marking
Voltage
(see note 3)
Marking
V
DRM
VOLTS
MAX
50
60
160
180
220
240
Off-State
Leakage
Current
@ V
DRM
I
DRM
µA
MAX
5
5
5
5
5
5
Breakdown
Voltage
@I
(BR)
=1 mA
(see note 3) (see note 1)
V
(BR)
VOLTS
MIN
60
70
190
220
275
300
V
(BO)
VOLTS
MAX
100
110
265
300
350
400
LEAD FINISH:
Solder Dip or Lead Tin Plate
POLARITY: Bi-directional
TSMBJ1005C
TSMBJ1006C
TSMBJ1016C
TSMBJ1018C
TSMBJ1022C
TSMBJ1024C
T1005C
T1006C
T1016C
T1018C
T1022C
T1024C
NOTES:
1.
2.
3.
4.
For rise times less than 1 kV/ms. For very fast times up to 1 kV/
µ
s, V
(BO)
will be 110% of V
(BO)
Max., The I
(BO)
is 750 mA.
Critical rate of rise of On-State current is 100 A/
µ
s Max.
Maximum rate of rise of Off-State voltage V
DRM
that will not trigger device is 5 kV/
µ
s (T
J
= 70ºC).
Breakdown voltage V
(BR)
has a positive temperature coefficient of + 0.1 %/ºC.
MSC0107B.PDF
ISO 9001 CERTIFIED
REV F 7/31/01

TSMBJ1006CB相似产品对比

TSMBJ1006CB TSMBJ1024CB TSMBJ1022CB TSMBJ1016CB TSMBJ1018CB TSMBJ1005CB
描述 Silicon Surge Protector, 110V V(BO) Max, 60A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN Silicon Surge Protector, 400V V(BO) Max, 60A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN Silicon Surge Protector, 350V V(BO) Max, 60A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN Silicon Surge Protector, 265V V(BO) Max, 60A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN Silicon Surge Protector, 300V V(BO) Max, 60A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN Silicon Surge Protector, 100V V(BO) Max, 60A, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA
包装说明 PLASTIC, SMBJ, 2 PIN PLASTIC, SMBJ, 2 PIN PLASTIC, SMBJ, 2 PIN PLASTIC, SMBJ, 2 PIN PLASTIC, SMBJ, 2 PIN PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
针数 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最大转折电压 110 V 400 V 350 V 265 V 300 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大断态直流电压 60 V 240 V 220 V 160 V 180 V 50 V
最大维持电流 750 mA 750 mA 750 mA 750 mA 750 mA 750 mA
JEDEC-95代码 DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
通态非重复峰值电流 60 A 60 A 60 A 60 A 60 A 60 A
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
重复峰值反向电压 60 V 240 V 220 V 160 V 180 V 50 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SILICON SURGE PROTECTOR SILICON SURGE PROTECTOR SILICON SURGE PROTECTOR SILICON SURGE PROTECTOR SILICON SURGE PROTECTOR SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -

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