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IC41LV1665-35TI

产品描述Fast Page DRAM, 64KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-40
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文件大小233KB,共19页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IC41LV1665-35TI概述

Fast Page DRAM, 64KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-40

IC41LV1665-35TI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明0.400 INCH, TSOP2-40
Reach Compliance Codecompliant
访问模式FAST PAGE
最长访问时间35 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码TSOP40/44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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