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NAND08GW3B2BN1T

产品描述Flash, 1GX8, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
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文件大小825KB,共57页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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NAND08GW3B2BN1T概述

Flash, 1GX8, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

NAND08GW3B2BN1T规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1GX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
类型NAND TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1
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