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NAND08GW3B2CZC6

产品描述1GX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LFBGA-63
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文件大小1MB,共59页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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NAND08GW3B2CZC6概述

1GX8 FLASH 3V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LFBGA-63

NAND08GW3B2CZC6规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LFBGA-63
针数63
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1GX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NAND TYPE
宽度8.5 mm
Base Number Matches1

 
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