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NAND256R3A3AZA1E

产品描述Flash, 32MX8, 10000ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-55
产品类别存储    存储   
文件大小883KB,共56页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
标准
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NAND256R3A3AZA1E概述

Flash, 32MX8, 10000ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-55

NAND256R3A3AZA1E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码BGA
包装说明8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-55
针数55
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间10000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B55
长度10 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量55
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NAND TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1
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