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CMPT751LEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMPT751LEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMPT751LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)75 MHz
Base Number Matches1

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E
PR
LIM
RY
INA
CMPT751
SURFACE MOUNT
PNP HIGH CURRENT
SILICON TRANSISTOR
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT751
type is a high current PNP Silicon Transistor,
epoxy molded in a space saving Power SOT-23
surface mount package, designed for high current
applications.
MARKING CODE: C751
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
UNITS
V
V
V
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
P
E
R
VCB=80V
VEB=4.0V
IC=100µA
IC=10mA
IC=2.0A,
IC=1.0A,
TEST CONDITIONS
I
L
IN
M
TJ,Tstg
Θ
JA
80
60
5.0
Y
R
A
-65 to +150
357
MAX
100
100
150
200
400
1.2
1.0
80
60
5.0
2.0
350
MIN
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
V
V
IE=10µA
IC=0.5A, IB=50mA
IC=1.0A, IB=100mA
IB=200mA
IB=100mA
VCE=2.0V, IC=1.0A
VCE=2.0V, IC=50mA
VCE=2.0V, IC=500mA
VCE=2.0V, IC=1.0A
VCE=2.0V, IC=2.0A
VCE=5.0V, IC=50mA, f=100MHz
75
100
75
40
75
MHz
300
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