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CE1N2R-AZ

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB,共4页
制造商NEC(日电)
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CE1N2R-AZ概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

CE1N2R-AZ规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 14.7
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压70 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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DATA SHEET
COMPOUND TRANSISTOR
CE1N2R
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor
For mid-speed switching
The CE1N2R is a transistor of on-chip high hFE resistor
incorporating dumper diode in collector to emitter and zener diode
in collector to base as protect elements. This transistor is ideal for
actuator drives of OA equipments and electric equipments.
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
FEATURES
• On-chip zener diode for surge voltage absorption
• On-chip bias resistor: R
1
= 680
Ω,
R
2
= 10 kΩ
• Low power consumption during driving:
V
OL
= 0.3 V MAX.@V
1
= 5.0 V, I
C
= 0.5 A
• On-chip dumper diode for reverse cable
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
°
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (Pulse)
Base current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(pulse)
*
I
B(DC)
P
T
T
j
T
stg
Ratings
60±10
60±10
15
±2.0
±3.0
0.03
1.0
150
−55
to +150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
* PW
10 ms, duty cycle
50 %
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D10846EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
©
2002
1998

CE1N2R-AZ相似产品对比

CE1N2R-AZ
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 14.7
最大集电极电流 (IC) 2 A
集电极-发射极最大电压 70 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 500
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
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