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C-IXTD12N100

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小180KB,共1页
制造商IXYS
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C-IXTD12N100概述

Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

C-IXTD12N100规格参数

参数名称属性值
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N7
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏源导通电阻1.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N7
元件数量1
端子数量7
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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